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　　目前，世界和中國(guó)的電子化工產(chǎn)品通常執(zhí)行半國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，其關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)包括單金屬離子、單陰離子、粒子數(shù)等，根據(jù)不同產(chǎn)品的特點(diǎn)，增加一些其他技術(shù)指標(biāo)

　　電子化學(xué)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的演變

　　以標(biāo)準(zhǔn)化超清潔和高純度試劑的世界標(biāo)準(zhǔn)，semi（semiconductor equipment and Materials International）于1975年成立了半化學(xué)試劑標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，以制定和標(biāo)準(zhǔn)化超清潔和高純度試劑半標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。1978年，德國(guó)默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)超清潔和高純度化學(xué)品中的金屬雜質(zhì)和（灰塵）顆粒的要求有不同的強(qiáng)調(diào)，分別適用于不同級(jí)別集成電路的制造要求

　　國(guó)際公認(rèn)的電子化學(xué)品標(biāo)準(zhǔn)大致可分為四類：一類是基于semi的美國(guó)試劑標(biāo)準(zhǔn)；是基于德國(guó)e.merck標(biāo)準(zhǔn)的歐洲試劑標(biāo)準(zhǔn)；一是以關(guān)東和和和子的濕電子化學(xué)品為代表的日本試劑標(biāo)準(zhǔn)；另是以rea為代表的俄羅斯試劑標(biāo)準(zhǔn)。ULSI在世界范圍內(nèi)的快速發(fā)展使這些標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)逐漸接近，但在進(jìn)入21世紀(jì)之前，半標(biāo)準(zhǔn)已在世界范圍內(nèi)得到廣泛認(rèn)可，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化半組織根據(jù)世界電子化學(xué)品的實(shí)際發(fā)展情況，合并了原有的分類體系。它根據(jù)品種對(duì)其進(jìn)行分類，并將每個(gè)品種合并為一個(gè)指導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)，包括不同工藝和技術(shù)的多個(gè)等級(jí)。對(duì)應(yīng)不同技術(shù)水平的集成電路，對(duì)電子化學(xué)品的標(biāo)準(zhǔn)要求越高，對(duì)純度和清潔度的要求就越高。如果電子化學(xué)品分級(jí)或分級(jí)，則用于≥1.2μM為低檔產(chǎn)品（需半C1級(jí)濕電子化學(xué)品），0.8～1.2μM為中低檔產(chǎn)品（需半C7級(jí)電子化學(xué)品），0.2～0.6μM為中高端產(chǎn)品（需半C8級(jí)電子化學(xué)品）。0.09～0.2μM和<；零點(diǎn)零九μM屬于高端產(chǎn)品（需要半C12級(jí)電子化學(xué)品），其中≥1.2μM和0.8～1.2μM硅片主要用于制作分立器件；0.2～0.6μM和0.09～0.2μM硅片主要用于大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路制造

　　可以看出，電子化學(xué)品制備的關(guān)鍵是控制并達(dá)到所需的雜質(zhì)含量和粒徑。為了使超凈高純度試劑的質(zhì)量達(dá)到要求，必須同時(shí)從多個(gè)方面進(jìn)行保證，包括試劑純化、包裝、供應(yīng)系統(tǒng)和分析方法。目前，世界上常用的純化工藝有十多種，適用于生產(chǎn)不同成分和要求的超清潔高純度試劑，如蒸餾、精餾、連續(xù)精餾、鹽熔精餾、共沸精餾、亞沸精餾、等溫精餾、，真空蒸餾、蒸餾、化學(xué)處理、氣體吸收等超清潔高純度試劑在運(yùn)輸過程中容易受到污染，因此超清潔高純度試劑的包裝和供應(yīng)方式是電子化學(xué)品使用的重要組成部分。特別是粒子控制的相關(guān)技術(shù)貫穿于超清潔高純度試劑的生產(chǎn)和運(yùn)輸，包括環(huán)境控制、過程控制、成品包裝控制等環(huán)節(jié)

　　目前，國(guó)際上制備半c1到半c12電子化學(xué)品的技術(shù)已經(jīng)成熟。隨著集成電路制造要求的提高，工藝中對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也越來越高。從技術(shù)趨勢(shì)來看，滿足納米級(jí)集成電路的加工需求是超清潔高純度試劑未來的發(fā)展方向之一。